报告主题：锑化物低维结构与光电器件
报告嘉宾：杨再兴（教授，山东大学 物理iqqtv
）
时 间：2026年11月30日（周一）上午11:10到11:40
地 点：粤海校区汇星楼报告厅(3)
报告人简介
杨再兴,山东大学教授、博士生导师。是教育部“长江学者奖励计划”青年学者、国家重点研发计划首席科学家（青年）、山东省自然科学杰出青年基金获得者、山东省泰山学者青年专家。曾获山东省自然科学奖二等奖（排名第一）。长期从事“低维半导体物理与器件”研究，发表高质量学术论文110余篇，包括Nature Commun.、PNAS、Nano Lett.。应邀撰写综述论文4篇，获发明专利授权5项。在国内外学术会议做邀请报告30余次并担任国际学术会议分会主席1次。
报告内容简介
低维半导体光电材料是新一代信息材料研究的核心。将GaSb低维化为一维纳米线，一方面可以结构和演绎出全新的集成电路（后摩尔时代Beyond Moore 的主要发展方向之一），另一方面可以研发新一代高性能室温红外探测器。我们课题组在可控生长纳米线之后，通过调控表面散射、晶格散射以及库伦散射，将GaSb场效应管的空穴迁移率提升至现有报告的最高值。在红外探测方面，受限于纳米线的丰富表面态，GaSb红外探测器件的暗电流高，光电流开关比低。在本报告中，我们将详细介绍通过采用非晶半导体作为壳层在生长过程中原位钝化纳米线表面态、构筑合理的异质结等手段，降低了低暗电流、提高了光电流开关比。这些优点主要得益于打破了纳米线表面费米能级钉扎效应和内建电场的高效光电子分离与收集作用。
欢迎有兴趣的师生前来参加！
iqqtv
2026年11月06日
